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我们的未来 | LiangJia Farm
碳化硅的宽能带隙为矽的2.8倍，达到3.09电子伏特。其绝缘强度为矽的5.3倍，高达3.2MV/cm，其导热率是矽的3.3倍，为49w/cm.k，因此其被视为下一世代半导体功率元件的主要材料。总之，以立方体结晶碳化硅为基板的半导体元件虽说不适合于... |
2006星情回顾
这样的矛盾在欧美各国产生文化反堵、收复街道等活动，发起反品牌运动，NIKE、Shell、McDonald's 首当其冲，...国小五六年级的时候级任老师林德山曾说：「人生就像滚石头一样，愈滚愈光滑。」然而在李敖身上，我看到了一颗愈滚愈... |
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